型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: MG12300D-BN2MM 系列 1200 V 300 A 表面贴装 双 IGBT 模块18851+￥1405.369910+￥1392.593825+￥1386.205850+￥1379.8177100+￥1373.4297150+￥1367.0416250+￥1360.6536500+￥1354.2655 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12150S-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 200A, 1.7V, 625W, 1.2kV, Module21851+￥824.956410+￥796.010650+￥792.3924100+￥788.7741150+￥782.9850250+￥777.9195500+￥772.85391000+￥767.0648 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 125A 520000mW Medical 7Pin Bulk44531+￥546.923910+￥532.656350+￥521.7178100+￥517.9132200+￥515.0596500+￥511.25501000+￥508.87702000+￥506.4991 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12150D-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 210A, 1.8V, 1.1kW, 1.2kV, Module82181+￥853.659410+￥823.706450+￥819.9623100+￥816.2182150+￥810.2276250+￥804.9858500+￥799.74401000+￥793.7534 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1292 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。5347 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG1275S-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 105A, 1.8V, 630W, 1.2kV, Module5007 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12300WB-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 500A, 1.7V, 1.4kW, 1.2kV, Module9849 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12200D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 290A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module7192 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG06600WB-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 700A, 1.45V, 1.5kW, 600V, Module5546 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Littelfuse 超低损耗 非常坚固 高短路能力 正温度系数 在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用 ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。8995 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG06100S-BR1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 150A, 1.9V, 625W, 600V, Module4403 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG0675S-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 100A, 1.45V, 250W, 600V, Module8460 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12225WB-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 325A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module2544
